Вести от компаний Samsung и Xiaomi, причём официальные в обоих случаях, что радует.
Итак, южнокорейский гигант Samsung объявила о начале массового производства 256ГБ вариантов встраиваемой флеш памяти Universal Flash Storage (UFS) стандарта 2.0, использоваться которая будет в мобильных аппаратах недалёкого будущего, разумеется речь о самых крутых смартфонах, фаблетах и планшетах.
Помимо возросшей практически до уровня SSD (по другим данным - даже быстрее SATA SSD, что-то около 805МБ/с на чтение и 260МБ/с на запись) скорости последовательного чтения и записи нам обещают 50-процентное улучшение энергоэффективности. Новая память базируется на чипах V-NAND, оснащена высокопроизводительным контроллером, демонстрирует до 45К IOPS на чтение случайных данных мелкими блоками и 40K на их запись.
Невзрачные чипы от Samsung на деле ох как хороши
А вот видеоролик, в котором показываются возможности тыловой камеры аппарата Xiaomi Mi 5 по оптической стабилизации изображения:
Определённо, такой штуки не хватает многим смартфонам, вернее - применяемых в них камерам.
|
|
< Игровая стереогарнитура Roccat Renga начинается появляться в продаже | Опубликованы минимальные и рекомендуемые системные требования игры Gears of War: Ultimate Edition > |
---|